技术编号：16778462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件。背景技术量子点发光二极管（QLED）在新型显示技术领域逐渐受到商业界的青睐，这是源于量子点具有发光的色纯度和稳定性好等相对优异的性能。在量子点发光二极管器件研究领域已经有大量的科研成果呈现，在量子点发光二极管的研究过程中有一个重要的技术参数伴随着器件研究的是电荷在不同功能层的迁移率。然而针对不同发光带隙的量子点，其所需要的电子或空穴在不同功能层的电荷迁移率是不同的，如红光量子点所需要电子在电荷传输层的迁移率大于空穴在...
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