技术编号:1678
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光化增强化学汽相淀积装置。可采用多种化学汽相淀积(CVD)方法,如在底物上淀积薄膜的气压化学汽相淀积(APCVD)、低压化学汽相淀积(LPCVD)、等离子体化学汽相淀积(plasma CVD)、热化学汽相淀积(thermal CVD)等。虽然这些方法各有特点,但每种方法实施的温度一般是相当高的,如此高温法是不适于在铝电极设备形成钝化膜。由于光化增强CVD法可在较低温度下实施,因而引起人们的兴趣。这种方法利用光能,即进行光学反应,例如在用硅烷和氨的光化CVD法的情况下,汞原子受波长2537 紫外...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。