技术编号：16785935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET驱动保护电路及其驱动保护方法。背景技术SiC材料作为一种新型的材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高等优秀的物理化学性质，人们通过使用SiC材料的功率器件，能够大幅提高器件的开关速度，降低装置的功耗，缩小装置的体积。SiC MOSFET，作为目前SiC材料主流功率器件，在电力电子领域得到了广泛的关注。要充分发挥SiC MOSFET的特性优势，提高器件的开关速度，达到降低装置功耗以及缩小装置体积的目的，必须先明确SiC MOSFET的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。