技术编号:16785991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路可靠性中的抗辐射加固领域。背景技术在航天航空以及地面高辐射应用中,D锁存器需要进行抗辐照的加固保护,主要是为了防止所保存的数据被外界辐射粒子所改变。传统的抗辐照D锁存器一般是采用三模冗余来进行加固,缺点是所需硬件多(高达102个晶体管)、功耗高、延迟时间长,以及虽然可实现抗双节点翻转,但存在抗双节点翻转的能力差,甚至无法实现对双节点翻转的容错。因此,以上存在的问题亟需解决。发明内容本发明是为了解决传统的抗辐照D锁存器所需硬件多、功耗高、延迟时间长以及虽然可实现抗双节点翻转,但存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。