技术编号：16789219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种原子层沉积设备，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。背景技术原子层沉积设备利用两种及多种不同的反应气体交替进入反应腔室并通过表面反应在基片表面生长出原子尺度的连续薄膜，其要求各反应气体交替进入反应腔室。在后一种气体进入之前，前一种气体必须在反应腔室内被彻底地吹扫，通过这种方式来降低反应腔室内化学气相沉积产生的可能。在原子层沉积中混入化学气相沉积会产生很多不利影响，如使沉积薄膜的均匀性变差，难以控制沉积薄膜的厚度，以及会产生大量的颗粒等。传统的半导体设备使用单层喷淋装置，这种喷淋装...
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