技术编号：16808704
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本文中所公开的实施例总体上涉及具有等离子体限制特征的基板支撑基座。背景技术半导体处理涉及能够在基板上产生微小集成电路的许多不同的化学及物理工艺。构成集成电路的材料层是由化学气相沉积、物理气相沉积、外延成长等等所产生的。使用光刻胶掩模及湿或干蚀刻技术来图案化材料层的某些部分。用以形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其他适当材料。在制造集成电路时，等离子体工艺通常用于沉积或蚀刻各种材料层。等离子体处理相对于热处理提供了许多优点。例如，与类似的热工艺所能实现的相比，等离子体增强的...
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