技术编号：16808759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。背景技术在半导体器件制造工序之一中，有时进行下述衬底处理：将衬底搬入衬底处理装置的处理室内，对供给至处理室内的原料气体和反应气体等使用等离子体而使其活化，在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜、或者除去各种膜。等离子体是为了促进沉积的薄膜的反应、或从薄膜除去杂质、或辅助成膜原料的化学反应等而使用(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-92637号公报发明内容发明要解决的课题然而，随着半导体器...
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