技术编号：16808763
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种例如在基板上形成薄膜的原子层生长装置及原子层生长方法。背景技术原子层生长技术是将构成所形成的薄膜的元素的气体交替的供给至基板上，在基板上以原子层为单位形成薄膜的技术，作为均匀形成薄膜的技术而广为人知。另外，与CVD(Chemical-Vapor-Deposition，化学气相沉积)法相比，原子层生长方法的高低差的覆盖性及膜厚控制性优异。若通过原子层生长方法来反复进行薄膜的形成，则在成膜容器的内壁也会附着薄膜。若附着在成膜容器的内壁上的薄膜的厚度变厚，则所堆积的薄膜会剥离，而其中的一...
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