技术编号：16812135
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供了包含纳米晶核的高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点。还提供了增加纳米结构的球形度的方法，包括使纳米晶核经受酸蚀刻步骤、退火步骤、或酸蚀刻步骤和退火步骤的组合。背景技术半导体纳米结构可以结合到各种电子和光学器件中。这种纳米结构的电学和光学性质根据其组成、形状和尺寸而变化。例如，半导体纳米颗粒的尺寸可调特性是诸如发光二极管(LED)、激光和生物医学标记的应用非常感兴趣的。高度发光的纳米结构对于这种应用是特别理想的。量子点是纳米尺寸的簇，其通常由来自II-VI、III-V族和/或IV-IV...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。