技术编号：16813863
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率器件的制备方法，尤其是一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法。背景技术三五族化合物半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）具有高电子迁移率，基于这两类半导体的高电子迁移率晶体管（HEMT）和二极管广泛应用于微波功率放大和电力电子电能转换。功率器件在实现微波信号放大和电能转换过程中需满足一定要求的击穿电压，目前砷化镓和氮化镓微波功率器件的设计电压通常在几伏至几十伏，而氮化镓电力电子功率器件的设计电压在几百伏至上千伏。砷化镓和氮化镓高电子迁移率晶体管...
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