技术编号:16813880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术随着半导体器件的元件密度和集成度的提高,晶体管的栅极尺寸也越来越小,而晶体管的栅极尺寸变短会使晶体管产生短沟道效应,进而产生漏电流,最终影响半导体器件的电学性能。为了克服晶体管的短沟道效应、抑制漏电流,三维晶体管技术得到了发展,例如:纳米线场效应晶体管(Nanowire FET)。所述纳米线场效应晶体管能够在减小晶体管尺寸的同时,克服短沟道效应,抑制漏电流。然而,现有技术制备的纳米线器件的性能较差。发明内容本发明解决的技术问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。