技术编号：16814058
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及散热器技术领域，具体地，涉及一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组。背景技术IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备上。随着变频器等高电流电子设备的发展，对于IGBT芯片的性能提出了更高的要求，IGBT芯片承受更高的电流，其工作时产生的热量不断增加。现有IGBT芯片陶瓷覆铜导热体的制作采用真空焊接技术，真空焊接技术不仅复杂、生产周期长...
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