技术编号:16814245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体探测器技术领域,尤其是涉及一种石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法。背景技术碳化硅材料作为第三代宽禁带半导体材料,其4H晶型碳化硅(4H-SiC)的禁带宽度达到了3.26eV。相比于第一代半导体材料(Si等)和第二代半导体材料(GaAs等),具有禁带宽度宽、电导率高、载流子饱和漂移速率高、击穿电场大、耐高温、耐辐照等许多优异性能。碳化硅辐射探测器暗电流小、信噪比高,并且能够在高温、强辐射的环境下工作。另一方面,石墨烯是一种片层状碳原子构成的二维纳米材料,具有良好的透光...
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