技术编号：16814265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种异质结太阳电池及其制备方法。背景技术太阳能是一种储量无限、使用免费、绿色环保的可再生能源，太阳电池能够将太阳能转换成电能，为社会提供清洁能源，因此受到世界各国的广泛重视。其中，异质结太阳电池采用非晶硅薄膜实现晶体硅表面钝化和选择性接触功能，拥有光电转换效率高、温度系数低、无电势诱导衰减和光致衰减等优点，应用潜力巨大。在传统的异质结太阳电池中，窗口层的P型非晶硅和本征非晶硅的带隙分别为1.6～1.7eV和1.7eV，由于两者的带隙较窄，会对紫外光和可见光产...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。