技术编号：16814286
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种N型单晶硅基太阳能电池及其制备方法。背景技术现有的异质结太阳能电池的制备过程中，通常是首先在硅片表面制备类金子塔结构以减少硅片的反光率；接着利用等离子体增强化学气相沉积法在具有类金子塔结构的n型单晶硅片的正面沉积本征非晶硅层和P型非晶硅层；接着是再在n型单晶硅片的背面沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层；然后利用磁控溅射技术在该n型单晶硅片的正面和背面均沉积透明导电层；最后通过丝网印刷在该n型单晶硅片的正面和背面分别制备电极。现有的异质结太阳能电池的结构有待...
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