技术编号:16815089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电压转换领域,特别涉及一种高压电平位移电路及半导体器件。背景技术由于现有NVM(NonVolatile Memory,非易失存储器)电路的大多数存储器操作均使用了许多电平移位电路(例如字、位线驱动器),因此现有NVM电路通常使用HVLS(High Voltage Level Shift,高压电平位移电路)来传输写操作期间来自模拟泵送模块的10~16V的高电压。现有HVLS通常由电流镜电路实现,其中电流镜电路包括HVNMOS(高压NMOS晶体管)和HVPMOS(高压PMOS晶体管)。由于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。