技术编号:16816878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及通过使用由负偏置电压改良的电容耦合等离子体(CCP)的等离子体增强原子层沉积(PEALD)在衬底上形成膜的方法。背景技术通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)而沉积的电介质膜广泛用在半导体制造业中,因为在沉积于纵横比约为10的沟槽中时,此类膜的保形性极高,例如100%。然而,使用电容耦合等离子体(CCP)的常规PEALD具有以下问题。等离子体是含有正离子和自由电子的离子化气体,所述正离子和自由电子的比例或多或少不产生总电荷,且在使用CCP的PEALD中,使用离子和基团完成膜的形...
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