技术编号:16816884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。关于一种校准温度的方法,特别是关于在化学气相沉积中校准温度的方法。背景技术随着半导体装置的规模尺寸越来越小,目前正在研究新的材料和概念以达到先进的性能目标。每个步骤的制程条件对于控制半导体装置的品质也是非常重要的。化学气相沉积(CVD)是一种通过使用热、电浆(plasma)、紫外线(ultraviolet)、或其他能源或其组合来分解气态化学物以形成稳定固体的方法。反应物气体通过晶圆上方,在晶圆上引起反应物材料的化学气相沉积而形成薄层。举例来说,硅的外延生长可以通过化学气相沉积来实现,此化学气相沉...
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