技术编号：16840440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体器件物理试验领域，具体涉及一种便携式的半导体器件加热控温装置。背景技术应用于航空航天、深空探测等领域的半导体器件和集成电路不可避免地会遭受各种高能粒子和射线的辐照，辐照产生的缺陷以及缺陷之间的相互作用会改变器件和电路中材料的能带结构和载流子参数，最终导致器件性能退化，甚至使电路失效，这给卫星和空间站等电子系统的可靠性带来极大隐患。1991年，美国E. W. Enlow等人发现双极型器件具有低剂量辐射损伤增强效应，即某些器件在受到低剂量率辐照下产生的辐射损伤，比在高剂量率条件下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。