技术编号:16842959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种MOSFET器件,具体是一种屏蔽栅功率MOSFET器件,属于半导体器件的制造技术领域。背景技术自20世纪九十年代以来,功率MOSFET最主要的研究方向就是不断降低功耗,包括导通损耗和开关损耗。如今,功率沟槽MOSFET器件已经适用于大多数功率应用电路中,且器件的特性不断接近硅材料的一维极限(表述了器件漂移区特征导通电阻和关断时击穿电压的理论关系)。RESURF技术(REduced SURface Field)的提出,可令耐压为600V的功率沟槽MOSFET器件超过硅材料的一维极...
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