技术编号:16849442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作连接垫结构的方法。更特定言之,其是涉及一种制作动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)中存储节点(storage node)的连接垫的方法暨其所产生的结构。背景技术随着各种电子产品朝小型化发展的趋势,动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言,由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度,以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。