技术编号：16852711
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2016年5月17日提交的美国临时申请No. 62/337,582的权益，并且该申请以引用方式并入本文。技术领域本发明涉及非易失性存储器阵列。背景技术具有三个导电栅极的分栅非易失性存储器单元以及这些单元的阵列是已知的。例如，美国专利7,315,056（“056专利”）公开了一种分栅非易失性存储器单元阵列，并且以引用方式并入本文以用于所有目的。该存储器单元示于图1中。每个存储器单元10包括形成在半导体衬底12中的源极区14和漏极区16，其间有沟道区18。浮栅20形成于沟道区18的第一部分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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