技术编号:16856987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电材料领域,特别涉及一种氮(N)掺杂CuAlO2薄膜的制备方法。背景技术透明导电氧化物薄膜由于其优良的光电特性在太阳能电池、平面显示、电磁防护罩、功能窗、传感器以及其它光电器件领域有着广泛的应用。目前,大多数透明导电氧化物薄膜呈现n型特性,一般作为单一的光学或者电学薄膜使用,没有真正意义上实现透明光电器件。要制备真正意义上的半导体器件就必须同时能够获得具有较好光电特性的n型和p型材料,两者缺一不可。目前常见的具有优良光电特性的p型薄膜很少,其电阻率一般比n型材料高3-4个数量级...
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