技术编号:16857227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体材料加工技术领域,具体说是一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底。背景技术单晶碳化硅是最重要的第三代半导体材料之一,因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质,在电力电子、射频器件、光电子器件等领域有着及其广泛的应用前景。目前商品单晶碳化硅多使用PVT(物理气相沉积法)的生长方法,然后通过端面加工、多线切割、研磨、机械抛光、化学机械抛光、清洗封装、形成开盒即用的碳化硅衬底。由于单晶碳化硅莫氏为9.2,自然界中仅次于金刚石,对其进行物理加工难度非常高,而且...
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