技术编号:16886038
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开一般涉及纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法。背景技术电子最为重要的两个内禀物理属性即电荷和自旋。稀磁半导体就是能够使原来没有磁性的半导体材料通过掺杂磁性金属或者非磁性金属,从而使其具有铁磁性,这就使一种材料同时具有电荷和自旋两种特性,使其在自旋电子器件领域有广泛的应用。这也使稀磁半导体材料的研究引起了人们的广泛关注。在半导体材料中掺杂过渡族金属离子(TMs)或稀土金属离子来部分代替其非磁性阳离子所形成的一种半导体材料,这就是稀磁半导体材料。掺杂所诱导电子...
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