技术编号:16886976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体生产设备技术领域,尤其涉及一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体。背景技术碳化硅(SiC)半导体是宽禁带半导体材料,其具有优越的电学性能,包括宽禁带、高临界击穿电场、高饱和漂移速度和高热导,是制作高质量的高温、高频、抗辐射、大功率固态微波器件及电路的理想材料,是功率半导体领域硅(Si)材料的首选“继承者”。SiC高温氧化设备和SiC高温退火设备是碳化硅(SiC)半导体产业链中的重要生产设备,需要温度均匀的高洁净度、高温(大于1200℃)加热炉膛环境,对于设备的炉体制造提出了很高的要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。