技术编号：16889903
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种MOS晶体管及其形成方法、 以及闪存的形成方法。背景技术闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究 的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各 类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等 移动和通讯设备中。闪存是一种非易失性存储器，其运作原理是通过改变晶体 管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存 储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。在闪存中，其逻辑区...
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