技术编号:16890727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管(Light-Emitting Diode,简称LED)领域,尤其涉及一种GaN发光二级管及其制备方法和LED芯片。背景技术LED是当前电子信息工业应用最为广泛的有源器件,而且高亮度LED在能量转换过程中仅释放少量的热量,具有高效、节能、环保和寿命长等优点,使其在动态显示、半导体照明领域有较好的应用前景,其中,LED材料方面,III-V族半导体材料在发光照明、太阳电池及大功率器件等领域得到了广泛地的应用,尤其以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(...
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