技术编号：16890792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电薄膜技术领域，涉及一种全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法。背景技术忆阻器是基于材料阻值变化而记录信息的一种非易失性存储器。相比具有类似功能的存储单元，忆阻器具有高存密度、读写速度快、结构简单、保持时间长和功耗低等优点，被认为是下一代通用存储器的有力竞争者。有机-无机杂化钙钛矿虽具备成本低、载流子迁移率高、光吸收系数大等优点，但仍有很多的问题亟待解决，尤其是因为体系内大量本征缺陷的存在，导致有机无机杂化钙钛矿材料稳定性较差。同时，对氧气和湿气的极端敏感性造成了其对存储、制备和设备操...
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