技术编号:16895559
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体外延生长设备领域,具体涉及一种用于外延生长系统的气体注射装置。背景技术化学气相沉积(CVD)的原理是化学气体在高温条件下发生化学反应,从而在晶圆基片的表面生长一层晶体。一般化学气相沉积硅外延生长系统通常会包含有以下基本构成:用来承载晶圆基片的反应腔,一个气体控制单元,一个时间频率控制单元,一个加热装置,以及一个晶圆搬运装置。反应腔是为了提供一个可控的安全的外延生长环境,是硅外延生长系统的关键组件,腔体的框架材质可以是石英、不锈钢、铝,甚至是由不参与反应的惰性气体氛围构成。常规的外延...
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