技术编号：16909424
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶硅太阳能电池生产技术领域，特别是涉及一种低成本黑硅太阳能电池制作方法。背景技术硅在地球上的储存丰富，易提纯，耐高温，容易形成自然氧化物，具有良好的半导体绝缘层界面，因此晶体硅被大量的用于半导体集成电路领域，在光电器件中也大量应用。因为禁带宽度大，晶体硅不能吸收波长大于1100nm的光波，当入射光的波长大于1100nm时，硅探测器对光的吸收率和响应率将大大降低。为了解决硅的高反射率问题，技术人员法发明了制绒法和抗反射膜法。制绒法：在硅片表面用KOH（或NaOH）和乙醇混合液湿法制备，表...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。