技术编号:16911070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域,特别是涉及一种硫化镉薄膜比色装置及制备硫化镉薄膜的方法。背景技术硫化镉(CdS)属于一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物,禁带宽度为 2.42 eV 的 n 型半导体材料,并且能透过绝大部分的太阳光,因此,硫化镉被广泛地用作薄膜电池的缓冲层,要得到高效率的太阳电池,作为缓冲层的硫化镉必须要致密均匀并且厚度适宜。制备硫化镉薄膜的方法有许多种,比如: 化学水浴沉积法、磁控溅射法、近空间升华法、真空蒸发法等。化学水浴沉积法因其所需材料少、制备要求低、无污染和简化制备工艺等优点而被...
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