技术编号：16917331
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种半导体干式蚀刻机台。背景技术刻蚀技术(etching technique)，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工，刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干刻蚀是一类较新型刻蚀技术，但迅速为半导体工业所采用。目前半导体干式蚀刻机台中真空传输室、气闸室与工艺腔的氮气泄气管均采用单一氮气源供此三模组使用之设计，当气...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。