技术编号:16917712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体地,涉及一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池。背景技术晶体硅太阳电池具有转换效率高、工作稳定性好、工作寿命长和制造技术成熟等特点,是目前太阳能光伏市场的主力军。相对掺硼的P型单晶硅材料,掺磷的N型单晶硅材料中硼含量极低,由硼氧对导致的光致衰减可以忽略,N型硅材料中的一些金属杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力,在相同掺杂浓度下N型硅比P型硅具有更高的少数载流子寿命。这些特性使得N型硅电池具有潜在的长寿命和高效率的优势,N型硅电池太阳...
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