技术编号:16941134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种离子注入设备。背景技术半导体制程中,一般所使用的半导体材料为稳定的硅,为了符合某些制程特性的需求,必须藉由离子植入的方式来改变半导体材料的电子特性,使其形成P型或N型的材料,这时就需要特殊的工艺设备:离子注入机。半导体离子注入设备工作过程中,因离子注入设备内部及设备外壳之间加载20万伏特的直流高电压,同时设备内部在产生束流离子时亦会用到BF3、PH3、ASH3剧毒气体,此类剧毒气体进过反应后残留尾气需经过设备内部干泵排出,经20万伏特的直流高电压区域排出...
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