技术编号：16945591
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器的纠错方法和装置。背景技术随着非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)存储器技术的不断发展，非易失存储器中的Nand Flash的工艺尺寸也在进一步缩小，一个存储单元(cell)中流动的电子个数越来越少，但是一个cell所存储的比特(bit)数却越来越多，从1bit/cell，到2bit/cell，再到3bit/cell，甚至到4bit/cell，使得一页中存储的数据量也在增大。参照图1，示出了现有的Nand Flash基于页的结...
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