技术编号:16946419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料与设备领域,特别涉及氢化物气相外延(HVPE)技术生长氮化物半导体材料时,一种清除管道内尾气沉积物氯化铵的装置及方法。背景技术HVPE是一种常压型热壁化学气相外延技术,具有制备成本低、设备简单及生长速率快(每小时可达几十至几百微米)等优点,十分适合制备自支撑氮化物(如:GaN)衬底材料。HVPE生长系统一般由气体控制系统、炉体、反应器及尾气处理系统组成。目前HVPE技术生长氮化物半导体材料过程中,面临的主要问题是氯化铵副产物的沉积反应过多,尤其是在腔体和管道连接处的沉积反应,...
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