技术编号:16973593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种大单晶双层石墨烯及其制备方法。背景技术石墨烯具有独特的带隙结构和物理性质。其中单层石墨烯为零带隙结构,在半导体器件应用上具有一定的限制性,但层数增多后,石墨烯的带隙便被打开。例如,双层石墨烯在外加电场的作用下,可以在高达250meV的范围内调节带隙。机械剥离法常用于获取双层石墨烯,但是面积只有几个微米。近几年,化学气相沉积法广泛应用于制备双层石墨烯,但到目前为止,双层石墨烯覆盖率不高且均一性不好,同时不能很高的控制层与层之间的堆叠方式。而在绝缘衬底上的多层石墨烯目前的方法还局限在转...
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