技术编号:16981100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及一种对被处理体进行处理的方法。背景技术在电子零件中存在使用具备包含层间绝缘膜以及设置于层间绝缘膜的布线和通孔的多层布线结构的半导体装置的电子零件,在这样的半导体装置中,为了提高开关速度,推进了微细化。伴随着半导体装置的微细化,也推进了设置于层间绝缘膜的布线用沟槽和通孔的微细化,正在开发通过蚀刻进行微细的沟槽等的形成的各种技术(专利文献1~3)。在专利文献1中公开了对形成于半导体晶圆等被处理体的表面上的绝缘膜等被加工层进行蚀刻的蚀刻方法等。在专利文献2中公开了使用由有机绝缘膜构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。