技术编号：16992229
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于电荷分部调制的高线性毫米波器件。背景技术继第一代元素半导体材料Si、Ge和第二代化合物半导体材料GaAs、InP等之后，第三代半导体GaN、AlN、InN及其合金具有直接带隙、禁带宽度连续可调制范围大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高、抗辐照性能好等优点。以第三代半导体材料为基体的电子器件具有更高的频率、更高的功率，大大的提高了器件性能，迅速填补了第一、二代半导体材料无法满足半导体器件领域的需求。同时GaN基高电子迁移率晶体管(High El...
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