技术编号:16992377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及p-型氧化物半导体。而且,本发明涉及用于制造p-型氧化物半导体的方法。本发明还涉及包括p-型氧化物半导体的半导体装置。此外,本发明涉及包括p-型氧化物半导体的半导体系统。背景技术由于下一代开关装置实现了高耐受电压、低损失且耐高温,利用氧化镓(Ga2O3)的具有大带隙导的半导体装置引起了人们的关注并且有望被应用于包括逆变器的电源半导体装置。而且,因为氧化镓具有宽带隙,因而氧化镓有望被应用于发光和接收元件,例如发光二极管(LED)和传感器。根据非专利文献1,上述氧化镓具有这样的带隙,其可以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。