技术编号:16993507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。背景技术氮基半导体具有高电子崩溃电场与高电子饱和速度,因此,氮基半导体被期望作为具有高崩溃电压与低开启电阻的半导体装置的半导体材料。许多使用氮基相关材料的半导体装置具有异质结构(heterojunctions)。异质结构是利用两种具有不同带隙能量的氮基半导体组成,且可于接合平面附近形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)层。具有异质结构的半导体装置可达成低开启电阻。此类的半导体装置称为高电子迁移率晶体管(high electr...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。