技术编号：17013602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种陶瓷纳米线薄膜的快速合成方法，具体涉及一种基于高能微波辐射技术于基板上快速合成碳化硅(SiC)纳米线薄膜的方法。背景技术碳化硅(SiC)是一种具有同质多晶结构的宽带隙半导体材料，其独特的物理性能，如：高强度、高硬度、高导热、低密度、低散射、低热膨胀系数、抗辐射、抗热震、抗氧化、较宽的能带间隙、较高的电子饱和迁移速率，以及优异的化学稳定性和环境友好性，使其成为重要的功能材料。当SiC材料的尺寸进入到纳米尺度后，带隙结构将由原来的间接带隙转变为直接带隙，此时的SiC纳米材料不仅拥有块体...
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