技术编号:17042646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施方式涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术作为提高半导体器件的密度的等比例缩小技术之一,已经提出在基板上形成鳍形硅主体并在硅主体的表面上形成栅极的多栅极晶体管。由于这样的多栅极晶体管使用三维沟道,所以容易按比例缩小。此外,即使不增大多栅极晶体管的栅极长度,也可以改善电流控制能力。另外,可以有效地抑制其中沟道区域的电势受漏极电压影响的SCE(短沟道效应)。发明内容根据某些实施方式,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:在基板上的第一鳍型图案;在基板上的第二鳍型图案,第二鳍型图案与第一鳍型图案...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。