技术编号:17042819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明构思的示例性实施例涉及一种半导体装置,更具体地,涉及一种包括堆叠结构和沟槽的半导体装置。背景技术通过使电子装置变轻、变薄和变短可以提高半导体装置的集成度。作为示例,已经尝试了使用其中绝缘层和电极层交替并重复地堆叠在基底上的堆叠结构的技术。可以通过垂直穿过堆叠结构并且平行的多个沟槽来限定多个单元块。所述多个沟槽中的每个可以具有相对高的纵横比。在包括沟槽的半导体装置中,沟槽中的最外面的沟槽会容易受到由模倾斜导致的各种缺陷的影响。发明内容本发明构思的示例性实施例提供了一种在单元阵列区的边...
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