技术编号:17045549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光二极管的外延结构,尤其是III族氮化物基半导体激光二极管的有源区结构。背景技术基于III族氮化物半导体的激光二极管(LD)在商用中具有发射电磁波谱的UV、蓝色和绿色部分的波长。这种装置被用于诸如照明和显示应用中。提供具有高光电性能的这种装置尤为重要。基于GaN与包含In和Al的合金(以下称为(Al,In,Ga)N合金)的III族氮化物(或氮化物)可以被制造以形成高效LD装置。这种装置的半导体层结构可以通过在基板上依次形成半导体层被制造。这些层物理连接并且通常通过使用外延沉积或...
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