技术编号:17074931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域,特别是涉及一种存储阵列结构及其操作方法。背景技术图1为现有技术之NORD存储阵列结构的结构示意图。如图1所示,该NORD存储阵列结构包括存储阵列10、第一高压译码201、第二高压译码202、第一隔离电路301、第二隔离电路302、第一低压译码401、第二低压译码402(行译码、列译码以及电荷泵等电路未示出)。具体地,存储阵列为M*N,每一列有M个存储单元(NORD Cell),每一行有N个存储单元,每个存储单元有两个存储位,对应位线分别为第一位线BLD<j>...
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