技术编号：17087090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电器件领域，涉及GaN基DFB半导体激光器，具体涉及一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法。背景技术信息传输需要稳定工作的单模激光器，这种应用需求推动了半导体激光器的研究和发展。半导体激光器在用作通信系统的光源时，若具有色散，则光谱展宽会使传输带宽减小，从而限制了传输速率。分布反馈（DFB）半导体激光器是光通讯系统中发射端的核心器件，利用布拉格光栅有效选择谐振的模式，不同波长的激光的谐振腔损耗差别较大，因此在高速调制的情况下仍能保持完全单模状态，成功实现动态单模。DFB...
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