技术编号：17089533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电探测及成像领域，具体为一种高灵敏度双倍增内线转移CCD。背景技术在高灵敏度CCD方面，目前的主流器件为电子倍增CCD(EMCCD)，主要采用单倍增的方式在器件的转移后端设计电子倍增结构，实现对信号的放大倍增，目前EMCCD的等效噪声电子可控制在1个电子以内，探测灵敏度可达10-3-10-4Lx。经过多年的发展，EMCCD技术已经成熟，倍增增益可达1000倍以上，探测灵敏度能够达到10-4Lx。但目前类似于EMCCD这类只在后端单倍增的器件的探测灵敏度上已接近极限，若要进一步提高器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。