技术编号:17097713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善分栅结构闪存多步多晶硅刻蚀损伤的工艺集成方法。背景技术闪存由于其具有高密度、低价格,以及电可编程,擦除的优点已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。目前,浮栅型非易失性闪存依据其结构主要分为两种:ETOX闪存和分栅型闪存。这两者的主要差异在于编程/擦除方式和单元结构不同,ETOX闪存的编程/擦除方式为:沟道热电子注入/FN隧穿方式,分栅式闪存为:源端沟道热电子注入/场增强poly-to-poly FN隧穿方式;结构上ETOX闪存为叠栅式结构,而分栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。